TF1010 prah ogljikovih nanocevk z eno steno

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, napake amorfnega ogljika v steni cevi pa so izjemno majhne. Glavni diferencirani kazalnik: efektivna čistost enostenskih karbonskih cevi je večja ali enaka 98,5 %, kar je znatno višje od 80 % čistosti TF1000. Kovinski pepel je nadzorovan z gradientom do ravni sto ppm, preostale nečistoče katalizatorja so močno zmanjšane, s čimer se v bistvu izognemo puščanju polprevodniških naprav, stranskim reakcijam baterije in težavam z zaznavanjem signala.

Brezšivna cevasta struktura enoslojnega grafena združuje balistično prevodnost elektronov, ultra visoko elastičnost in ultra veliko specifično površino (500–1000 m²/g). Količina perkolacijskega dodatka je lahko tako nizka kot 0,03 %, da se tvori prevodno omrežje s polno domeno, primerno za 7 nm in manjše tankoplastne tranzistorje z naprednim procesom, prilagodljiva logična vezja, silicijeve ogljikove anode visoke čistosti, lahke vojaške in vesoljske zaščite, ultravisoko občutljivo biološko zaznavanje sledi in druge visoko natančne stroge scenarije.

Tovarna je opremljena s celotnim naborom namenske opreme za testiranje materialov visoke čistosti, vključno z TEM visoke ločljivosti, ramansko spektroskopijo, termogravimetrijo TGA in ICP-OES. Vsaka serija je izdana s celotnim sklopom posebnih poročil o testiranju vsebine ene stene, kovinskih nečistoč, premera cevi in ​​dolžine. Raziskovalnim inštitutom, podjetjem za polprevodnike in vodilnim proizvajalcem polprevodniških baterij so na voljo samo vzorci z visoko čistostjo v gramu in pilotne serije v kilogramih. Modificirane praške visoke čistosti z amino in karboksilnimi skupinami je mogoče prilagoditi, da se prilagodijo disperziji v vodi/organskih topilih. Celoten nabor RoHS, REACH, posebna poročila o nečistočah ICP visoke čistosti in varnostni listi MSDS so popolni in izpolnjujejo stroge revizijske standarde za sprejem materialov za uvoz in izvoz vojaških in polprevodniških izdelkov.

Pakiranje: vakuumske vrečke iz aluminijaste folije, PE kompozitne vrečke, tonske vrečke, prilagodljive

Leta 2022 je podjetje vložilo 50 milijonov RMB v ustanovitev "Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd." v Hezeju, provinca Shandong, z gradbeno površino 4.000 kvadratnih metrov. Zdaj je nacionalno visokotehnološko podjetje z več kot desetimi neodvisnimi patenti.

Središče za proizvodnjo in razvoj druge faze je načrtovano za leto 2027. Podjetje je opravilo mednarodni certifikat sistema kakovosti ISO9001 in je oblikovalo napreden center za proizvodnjo nanomaterialov in tehnične storitve, ki pokriva celoten proces delovanja, raziskave in razvoj, pilotno proizvodnjo in proizvodnjo. Trenutno ima popolne proizvodne linije za ogljikove nanocevke v prahu, goščo iz ogljikovih nanocevk, masterbatch ogljikovih nanocevk, vlakna iz ogljikovih nanocevk in film iz ogljikovih nanocevk.

Imamo strokovno testiranje in certificiranje. Za resnično nanometrske ogljikove nanocevke tehnologija Tanfeng zagotavlja karakterizacijske podatke za različne modele, kot so slike SEM, slike AFM, slike HRTEM, Ramanova spektroskopija in vzorci rentgenske praškovne difrakcije.

Čistost ene stene Večja ali enaka 98,5 %, izjemno nizka vsebnost nečistoč in raznih cevi, prilagajanje zahtevam razmerja vklop/izklop polprevodniške naprave

V primerjavi z enostensko čistostjo TF1000, ki znaša le 80 %, TF1010 z večstopenjskim čiščenjem odstrani večstenske ogljikove cevi in ​​delce amorfnega ogljika, pri čemer nečistoče različnih faz predstavljajo manj kot 1,5 %. Pri uporabi v tankoslojnih poljskih tranzistorjih se razmerje med vklopom in izklopom naprave poveča za več kot 10-krat, brez puščanja ali popačenja signala, ki ga povzročajo različne kovinske cevi, kar se prilagaja raziskavam in razvoju 7 nm in manj naprednih integriranih vezij na osnovi ogljika.

Na voljo so trije razredi ultra nizke vsebnosti kovinskega pepela, ki popolnoma rešujejo problem okvare migracije kovinskih ionov v sledovih

Zagotavlja tri specifikacije pepela:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >100 μm izjemno dolge neokrnjene cevi, izredno nizko polnjenje brez blokiranja prepustnosti svetlobe

Izjemno visoko razmerje stranic deset tisoč ravni, prevodna dodana količina le 0,03 %, doziranje polnila zmanjšano za dodatnih 30 % v primerjavi s TF1000 za enak prevodni učinek. Premer cevi je veliko manjši od valovne dolžine vidne svetlobe, kar ustvarja prozorne prevodne filme brez meglice in visoke prepustnosti, ki se prilagajajo množični proizvodnji zložljivih zaslonov in fotovoltaičnih prozornih elektrod.

Ultra-high crystallinity G/D >50, izjemno malo strukturnih napak stene cevi, stabilnost elektrokemičnega cikla je maksimirana

Stene grafenskih cevi z majhnimi napakami zmanjšajo stranske reakcije vmesnika elektrolitov. Ko se uporabljajo v silicijevih ogljikovih anodah in polprevodniških baterijah, lahko močno zavirajo neprekinjeno zgostitev SEI filma, pri čemer se življenjska doba celičnega cikla izboljša za več kot 35 % v primerjavi z osnovnimi enostenskimi TF1000, ki se prilagajajo napajalnim baterijam za osebna vozila visokega dosega.

Lahko usmerjeno loči polprevodniške enostenske ogljikove cevi, jedrni substrat za fleksibilne čipe z nizko porabo

Neokrnjene enostenske surovine visoke čistosti olajšajo poznejše ločevanje s centrifugiranjem z gradientom gostote, pri čemer nastane velik delež polprevodniških enostenskih ogljikovih nanocevk z visoko mobilnostjo nosilcev in izjemno nizko porabo energije naprave, zaradi česar so osnovne surovine za naslednjo generacijo prilagodljivih logičnih vezij z nizko porabo energije in čipov za mikro zaznavanje.

Ultra velika specifična površina 500–1000 m²/g, ultra visoko občutljivo zajemanje molekul v sledovih

Ogromna elektrokemična aktivna mesta z zmožnostjo adsorpcije in prepoznavanja plinov, bioloških beljakovin in molekul težkih kovin v sledovih, ki daleč presegajo TF1000, ki se prilagajajo medicinskim diagnostičnim biosenzorjem in sondam za natančno zaznavanje sledov onesnaževal v okolju.

Vojaški in vesoljski popolnoma skladen sistem visoke čistosti, lahka prevodna in toplotno prevodna integrirana strukturna ojačitev

Formulacije z nizko vsebnostjo nečistoč, ki se ne obarjajo, izpolnjujejo sprejemljive standarde letalskih in vojaških elektronskih komponent. Izjemno nizko polnjenje lahko doseže trojne učinke trajne prevodnosti, elektromagnetnega ščita in strukturne ojačitve, kar močno zmanjša lastno težo komponent satelitov in letal.

1. Napredni procesni polprevodniki na osnovi ogljika, tankoplastni tranzistorji z učinkom polja

Procesna integrirana vezja 7 nm in manj, prilagodljivi logični čipi, mikro zaznavna vezja z nizko porabo energije; izjemno visoka enostenska čistost zagotavlja visoko razmerje med vklopom in izklopom tranzistorja in nizko puščanje ter nadomešča tradicionalne materiale na osnovi silicija za raziskave in razvoj mikro-nano elektronike po Moorovi dobi.

2. Vojaški/vesoljski lahki prevodni zaščitni kompozitni materiali ultra visoke čistosti

Satelitska lahka elektromagnetna zaščitna ohišja, integrirane plošče za odvajanje toplote letal in prevodne plošče, elektrode vojaških naprav za shranjevanje energije; nizka vsebnost kovinskih nečistoč izpolnjuje standarde dolgoročnega stabilnega delovanja vojaških komponent v orbiti.

3. Vrhunske silicijeve ogljikove anode, sulfidne polprevodniške napajalne baterije

Prevodni dodatki, namenjeni silicijevim ogljikovim anodam za vrhunsko potrošniško elektroniko in napajalne baterije za osebna vozila dolgega dosega; ultra nizka vsebnost nečistoč zavira samopraznjenje celice, ultra dolge ogljikove cevi zavirajo širitev prostornine delcev silicija, kar močno podaljšuje življenjsko dobo cikla.

4. Fleksibilne prozorne prevodne folije z visoko prepustnostjo, zložljive zaslonske plošče OLED

Zamenjava redkega ITO indijevega kositrovega oksida, priprava prevodnih filmov brez meglice z visoko prepustnostjo, prilagajanje zložljivim zaslonom na dotik, nosljivim medicinskim EKG elektrodam in fotonapetostnim celicam transparentnih zbiralnikov toka, z dušenjem upora pod 3 % po tisočih ovinkih.

5. Ultra-visoko natančni biološki in okoljski senzorji sledi

Medicinski senzorji za zaznavanje beljakovin, zaznavanje atmosferskih sledov strupenih plinov, sonde za spremljanje težkih kovin v sledovih vode; izjemno velika specifična površina omogoča prepoznavanje molekul v sledovih na ravni ppb, z občutljivostjo zaznavanja, ki je boljša od osnovnega enostenskega TF1000.

6. Univerza Frontier Ultra-High-Purity Nanomaterial Research Projects

Vzorci visoke čistosti, namenjeni visoko natančnim laboratorijskim raziskavam in razvoju, kot so polprevodniško enostensko kiralno ločevanje, napredni mehanizmi čipov na osnovi ogljika, mehanizmi z dolgim ​​ciklom polprevodniških baterij in lahki kompozitni materiali za vesoljsko uporabo.

V1: Kakšne so glavne razlike pri izbiri jedra med enostenskim TF1010 ultra visoke čistosti in osnovnim enostenskim TF1000 ter kako naj izberejo polprevodniške čipe?

O: Čistost TF1000 z eno steno je le večja ali enaka 80 %, primerna za anode iz silicija in ogljika, običajne prožne prevodne folije in običajne laboratorijske osnovne raziskave in razvoj; Enostenska čistost TF1010 je večja ali enaka 98,5 %, z nizko vsebnostjo kovinskega pepela do 100 ppm in izjemno malo raznih cevi in ​​nečistoč amorfnega ogljika, posebej za polprevodniška integrirana vezja, vojaško in vesoljsko, ultravisoko natančno biosenzorje, vrhunske polprevodniške baterije in druge scenarije z ničelno toleranco za nečistoče; za visoko stabilnost naprave, nizko puščanje in dolge cikle je treba izbrati TF1010.

V2: Katerim scenarijem se prilagodijo tri specifikacije pepela TF1010?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

V3: TF1010 enostenske čistosti 98,5 %, koliko izboljšave prinaša razmerje vklop/izklop tranzistorja?

O: Ker TF1000 vsebuje velike količine različnih večstenskih cevi, je razmerje vklop/izklop tranzistorja samo 10³–10⁴; TF1010 ima izjemno malo raznih faznih nečistoč in po ločitvi lahko razmerje vklopa/izklopa naprave s polprevodniško ogljikovo cevjo doseže nad 10⁷, kar izpolnjuje zahteve glede zmogljivosti naprednih procesnih čipov.

V4: Ko se TF1010 uporablja v polprevodniških baterijah, koliko se lahko zmanjša samopraznjenje celic v primerjavi s TF1000?

O: Kovinske katalitične nečistoče TF1010 so močno zmanjšane, 30-dnevno dušenje zmogljivosti pri shranjevanju v polprevodniških celicah pri sobni temperaturi je zmanjšano za 40 %, življenjska doba cikla pa je izboljšana za 35 %, kar se prilagaja pilotni množični proizvodnji polprevodniških baterij dolgega dosega za proizvajalce avtomobilov.

V5: Ali je prašek TF1010 težko razpršiti in ali se lahko prilagodi goščam, ki podpirajo polprevodniško litografijo?

O: Amino modificiran prašek TF1010 visoke čistosti je mogoče prilagoditi, tako da se prilagodi disperziji organskih topil z nizko vsebnostjo nečistoč, namenjeni litografiji, brez sledov kovinskih oborin, ki onesnažujejo rezine; naše podjetje lahko zagotovi nizkostrižne disperzijske procesne rešitve visoke čistosti.

V6: Ali lahko za izvozne vojaške in polprevodniške projekte TF1010 izda posebna poročila o testiranju nečistoč kovin visoke čistosti?

O: Vsaka serija je opremljena z neodvisnim listom za testiranje pepela visoke čistosti ICP-OES, ki natančno označuje vsebnost ostankov različnih kovin katalizatorja. Celoten nabor dokumentov RoHS, REACH in MSDS je dokončan, izpolnjuje revizije tretjih oseb za vojaške in polprevodniške materiale za uvoz in izvoz.

V7: Kakšno prepustnost lahko doseže TF1010 pri pripravi prozornih prevodnih filmov? Ali obstajajo težave z meglico?

O: Prepustnost filma Večja ali enaka 90 %, motnost<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Priljubljena oznake: tf1010 prah enostenskih ogljikovih nanocevk, Kitajska tf1010 prah enostenskih ogljikovih nanocevk proizvajalci, dobavitelji, tovarna